操盘指南:7月10日大陆内存走势报告

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作者: dram.com.cn

CNETNews.com.cn

1508-07-10 10:19:24

关键词: 内存 模组 UTT hynix NAND Flash

  今日DDR2主要品牌模组价格继续维持下跌走势。市场需求持续疲弱,商家仍持场外观望态度,进场交易者稀少,成交有限。尾市主要品牌模组1GB DDR2 667价格收于110.00-125.00元之间。DDR1品牌模组价格维持稳定走势。需求依然疲弱,全天贸易活动迟缓,成交有限。尾市主要品牌模组DDR150 1GB价格维持在1150.00-125.00元之间。

  DDR1非品牌模组价格也同样维持平稳的走势,市场平静,买气欠佳,全天贸易活动进行缓慢。尾市hynix DDR150 512MB/1GB价格分别稳定在92.00/178.00元。DDR2 UTT方面,今日整体价格呈相对平稳走势,全天不在 明显的变化。市场气氛平静,买卖双方交易稀少,成交非常有限。尾市UTT DDR2 1GB/2GB价格分别收于105.00和2150.00元俯近。

  今日外围市场DDR150 HYNIX 64*8颗粒价格走势相对稳定,尾市价格收于1.150美元俯近。UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格维持窄幅下滑走势,尾市UTT DDR2 64*8/128*8颗粒价格分别收于0.93和1.84美元俯近。

  Nand Flash方面,今日整体价格继续下跌走势。市场买气低迷,买卖双方不在 积极的议价行为,大每项商家观望气氛浓厚,成交有限。尾市Samsung 4GB (K9G)/8Gb(K9G)/16GB(K9L)32G(K9H)价格分别收在¥9.7-11.00/16.00-16.9/32.70-33.8/70.00-72.5之间;HYNIX 4Gb(ut)/8Gb (UT)/16Gb (uu)/32G(UV)价格分别在¥9.8-10.5/15.8-16.5/25.6-26.5/150.00-61.5之间。